特性 低噪聲(0.1 Hz至10 Hz) ADR420:1.75 μV峰峰值 ADR421:1.75 μV峰峰值 ADR423:2.0 μV峰峰值 ADR425:3.4 μV峰峰值 低溫度系數:3 ppm/°C 長期穩定性:50 ppm/1000小時 負載調整率:70 ppm/mA 電壓調整率:35 ppm/V 低遲滯:40 ppm(典型值) 寬工作電壓范圍 ADR420:4 V至18 V ADR421:4.5 V至18 V ADR423:5 V至18 V ADR425:7 V至18 V 靜態電流:0.5 mA(最大值) 高輸出電流:10 mA 寬溫度范圍:?40°C至+125°C 應用 精密數據采集系統 高分辨率轉換器 電池供電儀器儀表 便攜式醫療儀器 工業過程控制系統 精密儀器 光纖網絡控制電路 概述 ADR42x系列為高精度、第二代外加離子注入場效應管 (XFET)基準電壓源,具有低噪聲、高精度和出色的長期穩 定特性,采用SOIC和MSOP封裝。 利用溫度漂移曲線校正專利技術和XFET技術,可以使電 壓隨溫度變化的非線性度降至最小。XFET架構能夠為帶 隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納 二極管基準電壓源相比,還具有更低的功耗和更小的電源 裕量。 ADR42x具有出色的噪聲性能、穩定性和精度,非常適合 光纖網絡和醫療設備等精密轉換應用。此外還可利用其調 整引腳,在±0.5%范圍內調整輸出電壓,其它性能則不受 影響。ADR42x系列基準電壓源分為兩種電氣等級,額定 溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業溫度范圍,提供8引腳 SOIC或8引腳MSOP封裝(后者比前者小30%)
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